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俄罗斯科学家确定制造更先进半导体的条件
2026-2-17 18:45
俄罗斯卫星通讯社
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俄罗斯国立研究型大学莫斯科电子技术学院(简称MIET)的专家们提出了一种确定现代电子学中使用的纳米材料最佳制造条件的方法。该方案将有助于为电脑和智能手机中的随机存取存储器和只读存储器元件制造出更先进的半导体。

研究成果已在《Surfaces and Interfaces》期刊上发表。

据莫斯科电子技术学院的科学家介绍,目前用于制造能够存储和处理数字信息的设备均采用半导体材料。其化学纯度和结构有序性决定了设备的计算能力。

普里霍季科强调,MIET的科学家与德国及意大利的同事们共同改进了一种工具,能够利用锗、锑和碲的化合物生长出具有指定特性的存储元件薄膜。理解所生成层表面特殊纳米岛的结构与组成,可能会催生更高效、更可靠的数据存储技术。

未来,专家们计划运用这种结合方法,分析其他薄膜在与“宏观”材料接触时的反应,并改进“数字”视觉,以识别此类相互作用的特性。

本研究工作得到俄罗斯联邦科学与高等教育部支持。

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